超聲波改性尼龍66拋光機的拋光流程：

     1.固定：將單晶硅棒固定在加工臺上。
     2.切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄改性尼龍66切片。此過程中產生的硅粉采用水淋，產生廢水和硅渣。
     3.退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮氣吹掃后，用紅外加熱至300~500℃，改性尼龍66切片表面和氧氣發(fā)生反應，使改性尼龍66切片表面形成二氧化硅保護層。
     4.倒角：將退火的改性尼龍66切片進行修整成圓弧形，防止改性尼龍66切片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉采用水淋，產生廢水和硅渣。
     5.分檔檢測：為保證改性尼龍66切片的規(guī)格和質量，對其進行檢測。此處會產生廢品。
     6.拋光：用磨片劑除去切片和機磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶改性尼龍66切片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。此過程產生廢磨片劑。
     7.清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術去除改性尼龍66切片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。
     8.RCA清洗：通過多道清洗去除改性尼龍66切片表面的顆粒物質和金屬離子。
     9.磨片檢測：檢測經(jīng)過拋光、RCA清洗后的改性尼龍66切片的質量，不符合要求的則從新進行拋光和RCA清洗。
     10.腐蝕A/B：經(jīng)切片及拋光等機械加工后，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常采用化學腐蝕去除。蝕A是酸性腐蝕，用混酸溶液去除損傷層，產生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是堿性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產生廢堿液。本項目一部分改性尼龍66切片采用腐蝕A，一部分采用腐蝕B。
     11.分檔監(jiān)測：對改性尼龍66切片進行損傷檢測，存在損傷的改性尼龍66切片重新進行腐蝕。
     12.粗拋光：使用一次拋光劑去除損傷層，一般去除量在10~20um。此處產生粗拋廢液。
     13.精拋光：使用精磨劑改善改性尼龍66切片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下，從而的到高平坦度改性尼龍66切片。產生精拋廢液。
     14.檢測：檢查改性尼龍66切片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。
     15.檢測：查看改性尼龍66切片表面是否清潔，表面如不清潔則從新刷洗，直至清潔。
     16.包裝：將單晶硅拋光片進行包裝。